Dans le domaine dynamique des composants électroniques, l'innovation technologique continue est essentielle.Il stimule la croissance de l'industrie.Prenons, par exemple, la série de transistors IGBT de pointe de Stmicroelectronics de la Stmicroelectronics.Ici, nous observons une amélioration notable de la marge de conception, des performances de variation et de la fiabilité.Réalisés grâce à une tension de dégradation accrue et à la température de fonctionnement, ces progrès sont essentiels.Cet article explorera l'importance de cette percée, en se concentrant sur son impact multiforme dans les scénarios pratiques.
Caractéristiques techniques et avantages
Premièrement, les paramètres de fonctionnement des nouveaux transistors IGBT de la stmicroélectronique ont connu des améliorations remarquables.Un saut en tension de panne à 1350 V et une température de fonctionnement maximale élargie de 175 ° C sont remarquables.Cela signifie des performances améliorées dans des conditions extrêmes.Ces progrès ne sont pas de simples mises à niveau techniques;Ils redéfinissent la marge de conception du transistor, augmentent la résistance à la variation et renforcent la fiabilité à long terme.Ces attributs sont cruciaux dans les environnements à haute pression et à haute température.
Ensuite, nous avons la série STPower IH2 IGBT.Son lancement marque un pas en avant significatif dans l'efficacité énergétique, en particulier dans la conversion de puissance.Considérez sa faible tension de saturation VCE (SAT).Cela garantit une consommation d'énergie minimale à l'état «sur».Couplé à une baisse de tension réduite dans la diode en roue libre et à une énergie de désactivation optimisée, l'appareil excelle en quasi-résonance à commutation unique sur les fréquences de 16 kHz à 60 kHz.De telles améliorations de l'efficacité énergétique sont vitales pour la conservation de l'énergie et la réduction des émissions.
Scénarios d'application pratiques
La robustesse de la nouvelle IGBT contre la variabilité et l'efficacité énergétique élevée le rendent idéal pour les appareils de chauffage électromagnétique.Il s'agit notamment des poêles de cuisine, des fours à micro-ondes onduleurs et des appareils ménagers comme les cuisinières à riz.Dans les applications de 2 kW, les nouveaux appareils IGBT peuvent réduire la consommation d'énergie de 11%.Cela présente des avantages tangibles, comme la réduction de la consommation d'énergie des ménages et la baisse des factures d'électricité.
De plus, l'effet du coefficient de température positif du VCE (SAT), ainsi que des paramètres de dispositif cohérents, simplifie les processus de conception.Il aide à l'intégration parallèle de plusieurs tubes IGBT dans des paramètres de haute puissance.Cet aspect est significatif à la fois pour la complexité de conception et la rentabilité.
La disponibilité des produits
Deux appareils de cette série, le 25A STGWA25IH135DF2 et 35A STGWA35IH135DF2, sont entrés dans la production de masse.Ils sont hébergés dans un ensemble d'alimentation à longueur à long terme standard.Cet emballage est polyvalent, facilitant une intégration facile dans divers équipements électroniques.
En conclusion
Pour résumer, le lancement des nouveaux transistors IGBT 1350V de Stmicroelectronics est une étape technologique avec des implications pratiques substantielles.Il marque un impact profond dans le secteur des composants électroniques, en particulier dans les environnements à haute pression et à haute température.Alors que cette technologie évolue et gagne une adoption plus large, nous prévoyons de voir de nouvelles innovations.Ceux-ci amélioreront probablement l'efficacité énergétique, rationaliseront les processus de conception et amélioreront la rentabilité.