V dinamičnem področju elektronskih komponent so ključne neprekinjene tehnološke inovacije.Poganja rast industrije.Vzemimo za primer, vrhunsko serijo IGBT tranzistorjev Stmicroelectronics.Tu opazimo opazno izboljšanje pri oblikovalski marži, variacijskih zmogljivostih in zanesljivosti.Ti napredki so doseženi s povečano razčlenjeno napetostjo in delovno temperaturo.Ta članek bo preučil pomen tega preboja in se osredotočil na njegov večplastni vpliv v praktičnih scenarijih.
Tehnične lastnosti in prednosti
Prvič, operativni parametri novih IGBT tranzistorjev iz Stmicroelectronics so doživeli izjemne izboljšave.Omeniti velja, da je preskok v razpadni napetosti na 1350 V in razširjena največja delovna temperatura 175 ° C.To pomeni izboljšano delovanje v ekstremnih razmerah.Takšen napredek ni zgolj tehnične nadgradnje;Na novo definirajo oblikovalsko mejo tranzistorja, odpornost na razširitev in okrepijo dolgoročno zanesljivost.Ti atributi so ključni v visokotlačnih, visokotemperaturnih okoljih.
Nato imamo IGBT STPOWER IH2 serije.Njegova izstrelitev pomeni pomemben korak naprej v energetski učinkovitosti, zlasti pri pretvorbi moči.Upoštevajte njegovo nizko nasičeno napetost VCE (SAT).To zagotavlja minimalno porabo energije v stanju 'na'.Skupaj z zmanjšanim padcem napetosti v diodi prostega kolesa in optimizirano energijo za izklop se naprava odlikuje v kvazi resonanci z enim stikalom po frekvencah od 16kHz do 60kHz.Takšne izboljšave energetske učinkovitosti so ključnega pomena za ohranjanje energije in zmanjšanje emisij.
Praktični scenariji uporabe
Robustnost novega IGBT proti spremenljivosti in visoki energetski učinkovitosti je idealna za elektromagnetne ogrevalne naprave.Sem spadajo kuhinjske peči, pretvorbene mikrovalovne pečice in gospodinjske naprave, kot so kuhalniki riža.V 2kw aplikacijah lahko nove naprave IGBT porabijo porabo energije za 11%.To ima otipljive koristi, kot so zmanjšana poraba energije gospodinjstev in nižji računi za elektriko.
Poleg tega učinek pozitivnega temperaturnega koeficienta VCE (SAT), skupaj z doslednimi parametri naprave, poenostavi oblikovalske procese.Pomaga pri vzporedni integraciji več IGBT cevi v nastavitvah z veliko močjo.Ta vidik je pomemben tako za prefinjenost oblikovanja kot za stroškovno učinkovitost.
Razpoložljivost izdelka
Dve napravi v tej seriji, 25A STGWA25IH135DF2 in 35A STGWA35IH135DF2, sta vstopili v množično proizvodnjo.Nameščeni so v standardnem napajalnem paketu do 247.Ta embalaža je vsestranska, kar omogoča enostavno integracijo v raznoliko elektronsko opremo.
V zaključku
Če povzamemo, je zagon novih 1350V IGBT tranzistorjev Stmicroelectronics tehnološki mejnik z velikimi praktičnimi posledicami.Označuje globok vpliv v sektor elektronskih komponent, zlasti v zahtevnih visokotlačnih in visokotemperaturnih okoljih.Ko se ta tehnologija razvija in pridobiva širše sprejemanje, pričakujemo, da bomo priča nadaljnjim inovacijam.Te bodo verjetno izboljšale energetsko učinkovitost, racionalizirale procese oblikovanja in izboljšale učinkovitost stroškov.