בתחום הדינאמי של רכיבים אלקטרוניים, חדשנות טכנולוגית רציפה היא מרכזית.זה מניע צמיחה בתעשייה.קח, למשל, את סדרת הטרנזיסטור החיתוך של Stmicroelectronics 1350V IGBT.כאן אנו צופים בשיפור בולט בשולי העיצוב, בביצועי וריאציה ובאמינות.התקדמות זו הושגה באמצעות מתח פירוט מוגבר וטמפרטורת התפעול, והן קריטיות.מאמר זה יבחן את המשמעות של פריצת דרך זו, תוך התמקדות בהשפעתו הרב -גונית בתרחישים מעשיים.
תכונות ויתרונות טכניים
ראשית, פרמטרי ההפעלה של טרנזיסטורים IGBT החדשים מ- Stmicroelectronics ראו שיפורים מדהימים.קפיצת מדרגה במתח פירוק ל- 1350V וטמפרטורת הפעלה מקסימאלית מורחבת של 175 מעלות צלזיוס ראויים לציון.המשמעות היא ביצועים משופרים בתנאים קיצוניים.התקדמות כזו אינה שדרוגים טכניים בלבד;הם מגדירים מחדש את מרווח העיצוב של הטרנזיסטור, הגדלת התנגדות לשונות, ומחזקים אמינות לטווח הארוך.תכונות אלה הן מכריעות בסביבות בלחץ גבוה בטמפרטורה גבוהה.
לאחר מכן, יש לנו את סדרת ה- Stpower IH2 IGBT.ההשקה שלה מסמנת צעד משמעותי קדימה ביעילות אנרגטית, במיוחד בהמרת כוח.שקול את VCE מתח הרוויה הנמוך שלו (SAT).זה מבטיח צריכת חשמל מינימלית במצב 'ON'.בשילוב עם ירידת מתח מופחתת בדיודה החופשית ואנרגיית ההפעלה המותאמת, המכשיר מצטיין בתהודקות מעין-מיתוג יחידה על פני תדרים מ- 16kHz ל- 60kHz.שיפורים כאלה ביעילות האנרגטית חיוניים לשימור אנרגיה והפחתת פליטה.
תרחישי יישומים מעשיים
החוסן החדש של ה- IGBT כנגד שונות ויעילות אנרגטית גבוהה הופכים אותו לאידיאלי למכשירי חימום אלקטרומגנטיים.אלה כוללים תנורי מטבח, תנורי מיקרוגל מהפך ומכשירים ביתיים כמו תנורי אורז.ביישומי 2KW, מכשירי IGBT החדשים יכולים לקצץ את צריכת החשמל ב -11%.יש לזה יתרונות מוחשיים, כמו הפחתת השימוש באנרגיה ביתית וחשבונות חשמל נמוכים יותר.
בנוסף, אפקט מקדם הטמפרטורה החיובי של VCE (SAT), יחד עם פרמטרי מכשירים עקביים, מפשטים תהליכי תכנון.זה מסייע בשילוב מקביל של צינורות IGBT מרובים בהגדרות בעלות עוצמה גבוהה.היבט זה הוא משמעותי הן עבור המורכבות העיצובית והן יעילות העלות.
זמינות מוצרים
שני מכשירים בסדרה זו, 25A STGWA25IH135DF2 ו- 35A STGWA35IH135DF2, נכנסו לייצור המוני.הם שוכנים בחבילת חשמל רגילה של TO-247 ארוכת שנים.אריזה זו מגוונת, ומאפשרת אינטגרציה קלה בציוד אלקטרוני מגוון.
לסיכום
לסיכום, השקת הטרנזיסטורים החדשים של Stmicroelectronics, 1350V IGBT, היא אבן דרך טכנולוגית עם השלכות מעשיות משמעותיות.זה מסמן השפעה עמוקה בענף הרכיבים האלקטרוניים, במיוחד בסביבות מאתגרות בלחץ גבוה וטמפרטורה גבוהה.כאשר טכנולוגיה זו מתפתחת ומרוויחה אימוץ רחב יותר, אנו צופים כי הם עדים לחידושים נוספים.אלה ככל הנראה ישפרו את יעילות האנרגיה, ייעול תהליכי תכנון וישפרו את יעילות העלות.